반도체 및 산업이슈16 Nand vs Dram 비교 안녕하세요, 낸드 플래쉬와 DRAM 의 차이와 특성에 대해 알아보겠습니다. 보통 DRAM = 삼성, NAND =하이닉스 라고들 말하곤 합니다. 실제로도 그렇고, 메모리의 종류 중 대표적인 낸드와 디램에 대해서는 그 차이와 원리 정도는 명확히 해두면 좋을 것 같다는 취지로 글을 쓰게 되었습니다. 우선, 메모리는 데이터를 저장하는 저장소 입니다. 낸드와 디램은 그 구조에서 부터 차이가 확연히 나는데요, 아래 그림을 보겠습니다. DRAM 같은 경우 데이터를 아래 CAPACTOR에 저장을 합니다. CAP에 데이터를 저장 한다는 것은, 충전을 한다는 것이며 GATE 전압을 인가하여 데이터를 쓴다라고 표현을 합니다. 이러한 DRAM의 장점은 고속 읽기와 쓰기가 가능 합니다. CAP에 이 충전되는데 시간이 걸리긴 하.. 2022. 11. 19. RTOS 의 정의와 OTP와의 관계 RTOS 란 Real Time Operating System으로 운영체제 방식 중 하나입니다. 실시간 운영체제 이며, 주로 모바일 application에서 사용되는 운영체제 입니다. RTOS에서 가장 중요한 점은 무엇 일까요? 제 생각에는 '응답성'이라 생각합니다. 입력된 Input 값에 따라 실시간으로 빠르게 task의 우선순위를 정해 처리해야 합니다. 여기서 핵심은 task(일)의 우선순위를 어떠한 방식으로 정하냐는 겁니다. 사실 이러한 순서와 알고리즘은 설계자가 정하므로, 구체적인 내용은 알 수가 없습니다. 하지만 내용은 몰라도, 어떻게 순서를 매기는지 그 방식은 알 수가 있는데요. 결론부터 말하면 이러한 task의 순서는 OTP FUSING 방식을 이용하여 정합니다. https://120ck.ti.. 2022. 9. 8. OTP - FUSING 이란? OTP 란 One Time Programmable 의 약자로, 다시 말해 메모리다. 메모리의 종류는 휘발성과 비휘발성이 있는데, 한 번 데이터가 저장되면 쉽게 지워지지 않는 '비휘발성' 메모리의 일환으로 OTP 메모리라 칭합니다. OTP의 종류로는 3가지 종류가 있습니다. 1. Floating GATE Memory Floating gate 메모리의 구조는 하기와 같은데요, 데이터 저장 방식은 Floating gate에 전자를 charging & discharging 하는 방식으로 0과 1의 값을 저장합니다. 보통 전자가 charging되면 음(-)의 전하값이므로 0, 그 반대의 경우는 1 을 저장 합니다. Charging : 중간의 floating gate에 전자를 차징 -> Control gate ON.. 2022. 9. 3. GAA? LAM과 삼성의 합작 최근 LAM의 반도체 장비 개발계획 발표가 있었는데요, 구체적인 내용은 GAA 공정에 활용할 수 있는 식각 장비를 개발하여 삼성전자에 공급한다는 것이었습니다. 이는 삼성전자의 기존 FinFET 공정보다 한 단계 더 Upgrade된 공법으로, 반도체의 집적도와 그 통제력을 극도로 키운 기술 입니다. 해당 기술력 강화를 통해, 삼성은 3nm 공정 개발의 속도를 올리고 있습니다. GAA (Gate All Around)란? 우선 GAA 에 대해 간략하게 짚고 넘어갈 필요성이 있습니다. 나노 공정, 즉 반도체의 길이를 줄이는, 구체적으로는 소자 gate length(길이) 를 줄일 수록 반도체의 성능과 집적도가 좋아지기 때문에 생산이익이 커집니다. 반도체 길이를 줄이는데, 그러면 왜 GAA로 공법이 바뀌어야 할까.. 2022. 3. 2. 이전 1 2 3 4 다음
