GAA2 GAA? LAM과 삼성의 합작 최근 LAM의 반도체 장비 개발계획 발표가 있었는데요, 구체적인 내용은 GAA 공정에 활용할 수 있는 식각 장비를 개발하여 삼성전자에 공급한다는 것이었습니다. 이는 삼성전자의 기존 FinFET 공정보다 한 단계 더 Upgrade된 공법으로, 반도체의 집적도와 그 통제력을 극도로 키운 기술 입니다. 해당 기술력 강화를 통해, 삼성은 3nm 공정 개발의 속도를 올리고 있습니다. GAA (Gate All Around)란? 우선 GAA 에 대해 간략하게 짚고 넘어갈 필요성이 있습니다. 나노 공정, 즉 반도체의 길이를 줄이는, 구체적으로는 소자 gate length(길이) 를 줄일 수록 반도체의 성능과 집적도가 좋아지기 때문에 생산이익이 커집니다. 반도체 길이를 줄이는데, 그러면 왜 GAA로 공법이 바뀌어야 할까.. 2022. 3. 2. 삼성전자 2020 인베스터스 포럼 개최 - 256단 3D낸드, GAAFET기술 등 반도체 사업 미래기술 공유 삼성전자가 11.30일 국내외 기관 투자자를 대상으로 개최한 '삼성전자 2020 인베스터스 포럼'에서 자사 반도체 사업의 미래 전략을 공유했다. 구체적으로 메모리 반도체는 더블 스택 방식을 통한 256단 이상의 3D 낸드플래시 개발을, 파운드리는 GAAFET 기술에 기반한 3나노미터 이하 초미세 공정 기술 도입을, 이미지센서는 ToF·DVS·SWIR 등의 초정밀 촬영을 위한 신기술 적용 계획을 밝혔다. *메모리 반도체 DRAM -> 초격차 전략 -> 10nm급 DRAM양산에 EUV 공정 적용 (원가 절감) NAND FLASH -> 적층 및 패키징 기술 혁신-> 멀티 스택 기술을 활용한 256단 3D낸드 생산이 목표 -현재 V6(128단) 수준의 1-Stack 기술 --> 2개의 V6 를 적층한 2-Sta.. 2021. 1. 6. 이전 1 다음
