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삼성4

하나 마이크론 기업소개 및 분석 안녕하세요, 오늘은 하나 마이크론에 대해 알아볼까 합니다. 기업 개요 하나 마이크론은 반도체 후공정 기업 중 하나인데요, 후공정은 말그대로 제품의 끝단에 마무리 공정을 의미합니다. 반도체 후공정 중에는 패키징&테스트 공정이 있는데요, 해당 공정을 수행하는 공장을 가지고 있는 기업이라고 보시면 됩니다. 반도체 제품의 설계는 하지 못하기 때문에, 누군가가 제품을 만들어주는 OSAT 기업이라고도 합니다. 반도체 후공정 자체를 OSAT 라고 부르기도 하는데요, Outsourced Semiconductor Assembly and Test 의 약자로 위탁받은 제품의 assemble과 test 를 진행해 주는 기업들을 칭합니다. 반대로 삼성이나 하이닉스 처럼 설계부터~~ 생산까지 모두 진행하는 회사들을 IDM 기업이.. 2023. 9. 2.
Nand vs Dram 비교 안녕하세요, 낸드 플래쉬와 DRAM 의 차이와 특성에 대해 알아보겠습니다. 보통 DRAM = 삼성, NAND =하이닉스 라고들 말하곤 합니다. 실제로도 그렇고, 메모리의 종류 중 대표적인 낸드와 디램에 대해서는 그 차이와 원리 정도는 명확히 해두면 좋을 것 같다는 취지로 글을 쓰게 되었습니다. 우선, 메모리는 데이터를 저장하는 저장소 입니다. 낸드와 디램은 그 구조에서 부터 차이가 확연히 나는데요, 아래 그림을 보겠습니다. DRAM 같은 경우 데이터를 아래 CAPACTOR에 저장을 합니다. CAP에 데이터를 저장 한다는 것은, 충전을 한다는 것이며 GATE 전압을 인가하여 데이터를 쓴다라고 표현을 합니다. 이러한 DRAM의 장점은 고속 읽기와 쓰기가 가능 합니다. CAP에 이 충전되는데 시간이 걸리긴 하.. 2022. 11. 19.
GAA? LAM과 삼성의 합작 최근 LAM의 반도체 장비 개발계획 발표가 있었는데요, 구체적인 내용은 GAA 공정에 활용할 수 있는 식각 장비를 개발하여 삼성전자에 공급한다는 것이었습니다. 이는 삼성전자의 기존 FinFET 공정보다 한 단계 더 Upgrade된 공법으로, 반도체의 집적도와 그 통제력을 극도로 키운 기술 입니다. 해당 기술력 강화를 통해, 삼성은 3nm 공정 개발의 속도를 올리고 있습니다. GAA (Gate All Around)란? 우선 GAA 에 대해 간략하게 짚고 넘어갈 필요성이 있습니다. 나노 공정, 즉 반도체의 길이를 줄이는, 구체적으로는 소자 gate length(길이) 를 줄일 수록 반도체의 성능과 집적도가 좋아지기 때문에 생산이익이 커집니다. 반도체 길이를 줄이는데, 그러면 왜 GAA로 공법이 바뀌어야 할까.. 2022. 3. 2.
삼성전자 2020 인베스터스 포럼 개최 - 256단 3D낸드, GAAFET기술 등 반도체 사업 미래기술 공유 삼성전자가 11.30일 국내외 기관 투자자를 대상으로 개최한 '삼성전자 2020 인베스터스 포럼'에서 자사 반도체 사업의 미래 전략을 공유했다. 구체적으로 메모리 반도체는 더블 스택 방식을 통한 256단 이상의 3D 낸드플래시 개발을, 파운드리는 GAAFET 기술에 기반한 3나노미터 이하 초미세 공정 기술 도입을, 이미지센서는 ToF·DVS·SWIR 등의 초정밀 촬영을 위한 신기술 적용 계획을 밝혔다. *메모리 반도체 DRAM -> 초격차 전략 -> 10nm급 DRAM양산에 EUV 공정 적용 (원가 절감) NAND FLASH -> 적층 및 패키징 기술 혁신-> 멀티 스택 기술을 활용한 256단 3D낸드 생산이 목표 -현재 V6(128단) 수준의 1-Stack 기술 --> 2개의 V6 를 적층한 2-Sta.. 2021. 1. 6.