낸드플래쉬2 Nand vs Dram 비교 안녕하세요, 낸드 플래쉬와 DRAM 의 차이와 특성에 대해 알아보겠습니다. 보통 DRAM = 삼성, NAND =하이닉스 라고들 말하곤 합니다. 실제로도 그렇고, 메모리의 종류 중 대표적인 낸드와 디램에 대해서는 그 차이와 원리 정도는 명확히 해두면 좋을 것 같다는 취지로 글을 쓰게 되었습니다. 우선, 메모리는 데이터를 저장하는 저장소 입니다. 낸드와 디램은 그 구조에서 부터 차이가 확연히 나는데요, 아래 그림을 보겠습니다. DRAM 같은 경우 데이터를 아래 CAPACTOR에 저장을 합니다. CAP에 데이터를 저장 한다는 것은, 충전을 한다는 것이며 GATE 전압을 인가하여 데이터를 쓴다라고 표현을 합니다. 이러한 DRAM의 장점은 고속 읽기와 쓰기가 가능 합니다. CAP에 이 충전되는데 시간이 걸리긴 하.. 2022. 11. 19. 삼성전자 2020 인베스터스 포럼 개최 - 256단 3D낸드, GAAFET기술 등 반도체 사업 미래기술 공유 삼성전자가 11.30일 국내외 기관 투자자를 대상으로 개최한 '삼성전자 2020 인베스터스 포럼'에서 자사 반도체 사업의 미래 전략을 공유했다. 구체적으로 메모리 반도체는 더블 스택 방식을 통한 256단 이상의 3D 낸드플래시 개발을, 파운드리는 GAAFET 기술에 기반한 3나노미터 이하 초미세 공정 기술 도입을, 이미지센서는 ToF·DVS·SWIR 등의 초정밀 촬영을 위한 신기술 적용 계획을 밝혔다. *메모리 반도체 DRAM -> 초격차 전략 -> 10nm급 DRAM양산에 EUV 공정 적용 (원가 절감) NAND FLASH -> 적층 및 패키징 기술 혁신-> 멀티 스택 기술을 활용한 256단 3D낸드 생산이 목표 -현재 V6(128단) 수준의 1-Stack 기술 --> 2개의 V6 를 적층한 2-Sta.. 2021. 1. 6. 이전 1 다음
