삼성전자 2020 인베스터스 포럼 개최 - 256단 3D낸드, GAAFET기술 등 반도체 사업 미래기술 공유

삼성전자가 11.30일 국내외 기관 투자자를 대상으로 개최한 '삼성전자 2020 인베스터스 포럼'에서 자사 반도체 사업의 미래 전략을 공유했다.

구체적으로 메모리 반도체는 더블 스택 방식을 통한 256단 이상의 3D 낸드플래시 개발을, 파운드리는 GAAFET 기술에 기반한 3나노미터 이하 초미세 공정 기술 도입을, 이미지센서는 ToF·DVS·SWIR 등의 초정밀 촬영을 위한 신기술 적용 계획을 밝혔다.

 

*메모리 반도체

DRAM -> 초격차 전략 -> 10nm급 DRAM양산에 EUV 공정 적용 (원가 절감) 

NAND FLASH -> 적층 및 패키징 기술 혁신-> 멀티 스택 기술을 활용한 256단 3D낸드 생산이 목표 

-현재 V6(128단) 수준의 1-Stack 기술  --> 2개의 V6 를 적층한 2-Stack 소자, 총 128x2= 256단 구현 가능. 

-낸드의 수요가 서버인만큼, 속도보다는 저장성에 초점 ---> TLC (Tripple level)형식. 

 

 

*파운드리 

파운드리의 방향성

FinFET, 7nm EUV를 거쳐 3nm GAA 공정을 목표. 

GAA란? 

Gate All Around: 채널 4면을 gate가 감싸며 게이트의 채널영향력을 극대화한 구조. 

FinFET이 채널3면을 감싸고 있다면, GAAFET은 4면을 감싼다. 

- 이러한 소자 구조와 공정 혁신 외에 X-CUBE 등의 차세대 패키징 혁신계획 발표. 

- 엑스큐브(X-Cube)는 전공정(반도체 제조)을 마친 웨이퍼 상태의 복수의 칩을 위로 얇게 적층해 하나의 반도체로 만드는 3D 적층 패키징을 말한다. 이는 칩셋에 구멍을 뚫어 전극을 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 시스템 반도체(프로세서)와 메모리 반도체(S램)를 위로 적층, 전체 칩셋 면적을 줄이면서 고용량 메모리 솔루션을 구현할 수 있는 이점을 제공한다.

 

 

 이미지센서

- 센서 시장의 매출은 대부분 Image sencor 이며, 이중 모바일이 가장 큰 비중을 차지. 

- 삼성전자는 2013년 업계 최초로 픽셀 간 격벽 기술인 아이소셀을 상용화한 뒤 지난해에는 6400만 화소와 1억 화소 이미지센서를 통해 스마트폰 카메라의 트렌드를 바꾸고 있다"며 "올해 전체 스마트폰의 35%가량에 3천200만 화소의 이미지센서가 적용, 2024년에는 고화소 이미지센서의 적용 비중이 56%까지 늘어날 것"이라고 강조했다.

이어 "삼성전자는 아이소셀을 통해 더 작은 크기로 더 높은 해상도를 지원하는 픽셀을 만드는 데 익숙하다"며 "앞으로는 아이소셀 이후에 비행시간측정(ToF), 동적 비전 센서(DVS), 단파장 적외선(SWIR) 등의 기술을 이미지센서에 적용할 계획"이라고 전했다.